低温等离子体的能量一般为几到几十个电子伏特（电子0到20 eV，ccp 等离子体离子0到2 eV，半稳态离子0到20 eV，紫外/可见光3到40 eV），但CF键的PTFE 的键能为 4.4 eV，CC 键的键能为 3.4 eV。从此可以事实证明，冷等离子体的能量高于这些化学键的能量。这足以破坏聚四氟乙烯表面的分子键，蚀刻等一系列物理化学反应在此交汇。 - 发生链接和移植。
氯气（400W、200sccm，ccp 等离子体 ER～200Å/s)为主的蚀刻不会损伤诸的边界界面(侧面边界晶格保持完整），这在高性能器件中至关重要，会省去后续修复损伤晶格的工艺，降低成本，也给蚀刻本身降低了难度，但从中我们也可以看到，对侧壁图形的控制不够好得到的图形角度在75°左右，这很难满足实际需要。对于侧壁轮廓形态的控制一般做法是加入聚合物的蚀刻气体，多步蚀刻控制整体形态。
一、PTFE特氟隆等离子体表面改性活化的基本原理PTFE聚四氟乙烯单体由四个氟原子对称排列在两个碳原子上组成，icp ccp 微波等离子体CC键和CF键的键长较长。聚四氟乙烯特氟隆分子坚硬而稳定，难以与其他物质发生化学反应。等离子体的内部成分多样且活跃，具有电学和化学特性。当具有特定能量和化学性质的等离子体与聚四氟乙烯材料发生反应时，聚四氟乙烯表面的CF键断裂，并引入几个极性基团填充F原子分离的位置，从而形成可粘合的润湿面。
这有效地提高了表面活性，ccp 等离子体显着提高了表面结合环氧树脂的流动性，提高了芯片的键合性和润湿性。并且封装板子，芯片和板子都减少了。提高导热性，提高IC封装的可靠性和稳定性，延长产品寿命。集成电路引线键合的质量对于微电子器件来说必须是可靠的，耦合区域没有污染物，并且具有良好的耦合性能。氧化物和有机残留物等污染物的存在会显着降低引线键合的拉力值。
